Vier verschiedene EPROMs mit 64kByte (512 kBit) wurden für
den Test verwendet. Zum Auslesen wurde ein spezielles Lesegerät benutzt,
dass mit einer eigenen Software ca. alle
2 Sekunden ein Graustufenbild von 256 x 256 Pixel aus den EPROMdaten
erzeugte. Jeder Pixel repräsentiert ein Byte, 0 ist schwarz und 255
weiß dargestellt. Vor dem Löschen wurden alle Bytes des EPROMs
auf 0 programmiert.
Zum Löschen wurde ein einfaches UV EPROM-Löschgerät verwendet.
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AM27C512-150DC
AMD CMOS EPROM von 1994
Datenblattauszug: "AMD's CMOS process technology provides high speed, low power, and high noise immunity." ca. 3-4 Minuten Löschzeit |
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D27512-2
intel NMOS EPROM
ca. 2 Minuten Löschzeit |
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TMM27512AD-17
TOSHIBA NMOS EPROM von 1988
Datenblattauszug: "The TMM27512AD is fabricated with the N-channel silicon double lyer gate MOS technology." < 2 Minuten Löschzeit |
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TMS27C512-15JL
Texas Instruments CMOS EPROM von 1991
ca. 2 Minuten Löschzeit |
Nach 3 Minuten schienen alle getesteten EPROMs bei 5V gelöscht
zu sein. Wird jedoch die Spannung unter 5V bis auf 3V reduziert, so tauchen
wieder Daten auf. Ein vollständige Löschung war nach 10 Minuten
sicher vorhanden.
Interessant sind auch die Abschattungen (TI & intel). Ebenfalls sieht man, dass einzelne Bits wesentlich länger brauchen, als der Rest des Speichers.
Stand: 28.01.2002