Löschvorgang von EPROMS

Vier verschiedene EPROMs mit 64kByte (512 kBit) wurden für den Test verwendet. Zum Auslesen wurde ein spezielles Lesegerät benutzt, dass mit einer eigenen Software ca. alle
2 Sekunden ein Graustufenbild von 256 x 256 Pixel aus den EPROMdaten erzeugte. Jeder Pixel repräsentiert ein Byte, 0 ist schwarz und 255 weiß dargestellt. Vor dem Löschen wurden alle Bytes des EPROMs auf 0 programmiert.
Zum Löschen wurde ein einfaches ISEL - UV EPROM-Löschgerät verwendet.

AM27C512-150DC
AMD CMOS EPROM von 1994

Datenblattauszug: "AMD�s CMOS process technology provides high speed, low power, and high noise immunity."
ca. 3-4 Minuten Löschzeit

D27512-2
intel NMOS EPROM

ca. 2 Minuten Löschzeit

TMM27512AD-17
TOSHIBA NMOS EPROM von 1988

Datenblattauszug: "The TMM27512AD is fabricated with the N-channel silicon double lyer gate MOS technology."
< 2 Minuten Löschzeit

TMS27C512-15JL
Texas Instruments CMOS EPROM von 1991

ca. 2 Minuten Löschzeit

Nach 3 Minuten schienen alle getesteten EPROMs bei 5V gelöscht zu sein. Wird jedoch die Spannung unter 5V bis auf 3V reduziert, so tauchen die Daten wieder auf. Ein vollständige Löschung war nach 10 Minuten sicher vorhanden.

Interessant sind auch die Abschattungen (TI & intel). Ebenfalls sieht man, dass einzelne Bits wesentlich l�nger brauchen, als der Rest des Speichers.

emil: feedback ät rottmerhusen . com

Stand: 28.01.2002

		AM27C512-150DC AMD CMOS EPROM von 1994 Datenblattauszug: "AMD�s CMOS process technology provides high speed, low power, and high noise immunity." ca. 3-4 Minuten Löschzeit
		D27512-2 intel NMOS EPROM ca. 2 Minuten Löschzeit
		TMM27512AD-17 TOSHIBA NMOS EPROM von 1988 Datenblattauszug: "The TMM27512AD is fabricated with the N-channel silicon double lyer gate MOS technology." < 2 Minuten Löschzeit
		TMS27C512-15JL Texas Instruments CMOS EPROM von 1991 ca. 2 Minuten Löschzeit